Kioxia는 64단 3D NAND 제품군인 3세대 제품에 대한 단종(EOL) 공지를 발표했습니다. 이번 공지는 15nm, 24nm, 32nm 공정으로 제조된 구형 플로팅 게이트 2D(평면) NAND 칩에도 적용됩니다.
EOL 적용 범위는 다양한 기술의 여러 NAND 유형을 포함합니다: SLC(32nm, 1비트/셀), MLC(24nm 및 15nm, 2비트/셀), TLC(15nm 및 64단 3D NAND, 3비트/셀). Kioxia는 긴 전환 일정을 제시했습니다. 해당 레거시 제품의 판매는 2026년 9월 이후 중단되며, 출하는 2028년 말까지 종료됩니다. 이처럼 긴 종료 기간은 장기 공급 계약 의무를 이행하고 고객이 새로운 대안으로 전환할 충분한 시간을 제공하기 위해 마련되었습니다.
이러한 움직임은 더 높은 단수의 TLC 및 QLC NAND 솔루션에 대한 수요 증가로 인한 시장 환경 변화 속에서 이루어졌습니다. Kioxia의 162단 BiCS 6, 218단 BiCS 8 및 BiCS 9과 같은 고급 제품들이 인기를 얻으면서, 구형의 낮은 단수 NAND는 경쟁력을 잃고 있습니다. 이러한 추세는 96단 BiCS 4 및 112단 BiCS 5와 같은 중간 3D NAND 세대에도 위험을 초래하며, 이들은 점점 더 밀집되고 비용 효율적인 대안에 의해 가려지고 있습니다.
비즈니스 관점에서 Kioxia는 생산 능력을 재할당함으로써 상당한 이익을 얻을 수 있습니다. 162단에서 218단 칩이 탑재된 NAND 웨이퍼는 단일 단면 평면 NAND 또는 100단 미만의 3D NAND(SLC, MLC, TLC 변형 포함)가 탑재된 동일한 웨이퍼보다 훨씬 더 큰 가치를 제공합니다. Kioxia는 팹 용량을 구형의 덜 밀집된 구성에서 새로운 고단 제품 설계로 전환함으로써 생산 효율성을 최적화하고, 비트당 비용을 절감하며, 단일 고급 웨이퍼가 레거시 대안보다 수백만 개의 NAND 비트를 더 많이 생산할 수 있으므로 수익 잠재력을 극대화할 수 있습니다.
이러한 비용 효율성과 가치 극대화는 Kioxia가 2D 평면 NAND 및 100단 미만 3D NAND 생산을 단계적으로 중단하기로 결정한 핵심 근거입니다.
Kioxia의 EOL 공지에는 단계적 중단 대상인 특정 제품 형식이 별도로 명시되어 있어, 이러한 레거시 칩에 의존하는 고객에게 명확성을 제공합니다.
Kioxia의 이번 조치는 업계 동향과 일치하며, 다른 주요 NAND 공급업체들도 이미 구형의 덜 밀집된 기술을 단종하는 유사한 결정을 내렸습니다. Micron과 SK Hynix는 이미 오래전에 평면 NAND 생산을 중단했으며, Digitimes에 따르면 삼성은 3월에 2D NAND 제조를 중단하고 화성 라인 12를 DRAM 생산으로 전환했습니다. 이는 DRAM 비트가 NAND 비트보다 높은 가치를 가지기 때문입니다.
또한 삼성, SK Hynix, Micron은 얼마 전 100단 미만 3D NAND 생산을 중단했습니다. 이러한 맥락에서 Kioxia는 경쟁사들에 비해 뒤처지고 있으며, 이러한 레거시 기술을 단계적으로 중단하는 마지막 주요 NAND 공급업체 중 하나입니다.
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