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회사 뉴스

Kioxia 및 Sandisk 샘플 배송 332단 3D NAND

Kioxia와 SanDisk는 10세대 332층 BiCS 3D NAND 메모리 칩 샘플링을 시작했습니다.

새로운 1Tbit TLC(셀당 3비트) 칩은 기업 및 데이터 센터 SSD 배포용으로 설계되었습니다. 이 새로운 버전은 218단 BiCS 8 플래시 메모리를 계승합니다. 적층 레이어가 52% 증가한 것 외에도 듀오는 CBA(CMOS Direct Bonded to Array) 및 OPS(On-Pitch Select Gate Drain) 기술이라는 두 가지 주요 업그레이드를 채택했습니다. CBA 공정은 로직 웨이퍼와 NAND 셀 웨이퍼를 서로 결합하기 전에 별도로 제작하는 반면, OPS는 중복된 메모리 구멍을 제거하여 비트 라인 길이를 줄이고 워드 라인 용량을 줄입니다.

향상된 측면 스케일링과 추가로 쌓인 114개의 레이어가 함께 칩의 셀 밀도를 높입니다. 4.8Gbit/s 인터페이스 속도는 이전 BiCS 8 세대보다 33% 빠릅니다. 또한 Kioxia는 쓰기 전력 효율성이 18% 향상되고 읽기 전력 효율성이 30% 향상되어 전체 전력 소모를 효과적으로 낮추는 것을 확인했습니다.

Kioxia의 중간 BiCS 9 기술은 독립적인 CMOS 로직 레이어와 쌍을 이루는 218층 BiCS 8 3D NAND 셀을 활용하여 원래 BiCS 8 회로보다 더 나은 성능을 제공합니다. Toggle DDR6.0 인터페이스와 SCA(Separate Command Address) 프로토콜을 갖춘 BiCS 10은 4.8Gbit/s의 전송 속도를 달성하며 이는 BiCS 8과 동일한 33% 속도 업그레이드를 나타냅니다.

Sandisk와 Kioxia의 BiCS 10 NAND

BiCS 10의 대량 생산은 내년에 이와테현에 있는 일본 기타카미 제2공장에서 시작될 예정입니다. 합작 투자의 일환으로 두 회사는 팹의 생산량을 공유하며 현재 BiCS 10 샘플을 배송하고 있습니다. 332레이어 플랫폼은 칩 용량을 1/3까지 늘릴 수 있는 향후 QLC(셀당 4비트) 변형도 지원합니다. BiCS 10 아키텍처는 모놀리식 332레이어 칩 설계를 채택하는 대신 100레이어 이상의 NAND 스트링 3세트를 스택합니다.

Kioxia는 에이전트 AI 및 AI 기반 로봇 공학의 인기 상승으로 인해 NAND 수요가 지속적으로 강세를 보일 것으로 예상합니다. 오타 히로오(Hiroo Ota) CEO는 일본 언론 행사에서 회사가 지속적인 시장 성장에 완벽하게 대응할 것이라고 말하면서 잠재적인 생산 능력 확장을 시사했습니다.

경쟁이 치열한 환경에서 SK하이닉스의 9세대 3D NAND는 3중 스트링 적층 구조의 321단을 특징으로 합니다. 삼성의 10세대 V NAND는 400단에 이르며, 별도의 로직 및 메모리 웨이퍼를 갖춘 CoP(Cell-on-Periphery) 아키텍처를 채택하여 Kioxia의 설계와 유사한 1Tbit 다이를 생산합니다. Micron은 현재 276단 NAND를 제공하고 있으며 향후 레이어 로드맵에 대한 공식 업데이트는 없습니다. 중국 YMTC는 조만간 300단급 3D NAND 기술을 출시할 예정이다.

베이징 Qianxing Jietong Technology Co., Ltd.
양샌디/글로벌 전략 이사
WhatsApp/위챗: +86 13426366826
이메일: yangyd@qianxingdata.com
웹사이트: www.qianxingdata.com/www.storagesserver.com
사업 초점:
ICT 제품 유통/시스템 통합 및 서비스/인프라 솔루션
20년 이상의 IT 유통 경험을 바탕으로 당사는 선도적인 글로벌 브랜드와 협력하여 신뢰할 수 있는 제품과 전문 서비스를 제공합니다.
“기술을 활용한 지능형 세상 구축” 신뢰할 수 있는 ICT 제품 서비스 제공업체!

선술집 시간 : 2026-07-07 13:41:52 >> 뉴스 명부

연락처 세부 사항

Beijing Qianxing Jietong Technology Co., Ltd.

담당자: Ms. Sandy Yang

전화 번호: 13426366826

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