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삼성의 새로운 메인스트림 PCIe 4.0 소비자 SSD인 Plain 990은 최대 처리량보다 전력 효율성과 비용을 우선시하며, 990 PRO보다 최대 38% 향상된 전력 효율성으로 현재까지 가장 에너지를 절약하는 스토리지로 평가됩니다. 사양은 1TB 모델의 경우 7,150MB/s 순차 읽기 / 6,450MB/s 쓰기, 2TB 모델의 경우 7,250MB/s 읽기 / 6,450MB/s 쓰기입니다. 임의 성능은 700K/1.1M IOPS(1TB) 및 850K/1.2M IOPS(2TB)에 도달합니다. 1TB($269.99) 및 2TB($529.99) SKU로 출시됩니다.
PRO, EVO 및 EVO Plus 모델과 함께 삼성의 기존 990 제품군에 속하는 이 보급형 드라이브는 지정되지 않은 V-NAND 및 DRAM 없는 HMB 아키텍처와 결합된 내부 컨트롤러를 사용합니다. 990 PRO의 5년 보증 및 더 높은 내구성 제한에 비해 400TBW(1TB)/800TBW(2TB)의 3년 보증을 제공합니다. 순차 읽기는 990 EVO Plus와 일치하지만 PRO에는 부족합니다. 임의 IOPS가 크게 지연됩니다. 주요 판매 포인트에는 990 EVO보다 50% 이상 빠른 순차 쓰기와 2TB 버전의 와트당 1,686MB/s 읽기 효율성이 포함됩니다. 삼성은 최고 속도를 추구하는 구매자를 위해 Gen5 9100 PRO 라인업을 보유하고 있으므로 990은 별도의 가치 부문을 목표로 합니다.
2021년부터 브랜드의 초기 DRAM 없는 980 SSD는 성능이 부진했지만 NAND 및 DRAM 공급망이 부족하여 시장 수요가 전력 효율적이고 저렴한 PCIe 4.0 스토리지로 전환되었습니다. 삼성은 자세한 NAND 사양 공개를 거부하고 일반 V-NAND라고만 표시했습니다. 연간 쓰기 내구성을 990 PRO와 일치시키는 것은 QLC가 아닌 비용 최적화된 TLC 플래시를 강력히 나타냅니다. 하지만 핵심 하드웨어 사양에 대한 의도적인 모호함은 이례적입니다. 테스트에서는 fio, LLM 로드 및 GPU Direct Storage 벤치마크를 통해 펌웨어 0B2QLXL7이 포함된 사전 프로덕션 2TB MZ-V9V2T0 샘플을 사용했습니다.
핵심사양
폼 팩터는 번들 방열판이 없는 표준 단면 M.2 2280으로, 마더보드 냉각에 의존하는 얇은 노트북과 소형 PC에 이상적입니다. PCB는 DRAM 다이가 없는 커넥터와 한쪽의 모든 NAND 칩 근처에 컨트롤러를 호스팅합니다. Samsung Magician 9.0은 펌웨어 업데이트, 상태 추적, 진단 및 AES 256비트 암호화를 처리합니다. HMB 작업에는 수동 구성이 필요하지 않습니다. 활성 읽기 전력은 4.0W(1TB)/4.3W(2TB), 활성 쓰기 전력은 3.7W/3.8W에 도달하며, 유휴 소비 전력은 저전력 상태에서 55mW 또는 3mW로 떨어집니다. MTBF는 TCG Opal 2.0 보안 지원을 통해 150만 시간으로 평가됩니다.
벤치마크 결과
합성 FIO 성능
2TB 990은 7,177MB/s 순차 읽기, 6,070MB/s 순차 쓰기, 872K 무작위 읽기 IOPS 및 1.08M 무작위 쓰기 IOPS를 달성하여 테스트된 모든 PCIe 4/5 드라이브 중 최하위에 해당합니다. 990 PRO에 대한 순차 읽기 4%, 순차 쓰기 15.7%, 무작위 읽기 37.7%, 무작위 쓰기 처리량 23%가 손실되는 반면, 대부분의 지표에서 SanDisk SN8100과 같은 주력 Gen5 대안에 비해 훨씬 뒤처집니다.
LLM 로딩 테스트
AI 모델 로딩은 드라이브의 가장 약한 작업 부하입니다. DeepSeek R1 7B의 경우 5.06초, Llama 3.2 11B Vision의 경우 7.61초, DeepSeek R1 32B의 경우 7.86초를 기록했는데, 이는 최상위 Gen5 SSD보다 거의 두 배 느린 속도입니다. 특히 990 PRO는 여기서 거의 동일하게 작동합니다. PRO로 업그레이드하면 LLM 로드 속도가 최소한으로 향상되고 임의 IO 및 지속적인 쓰기가 약간만 향상됩니다.
GPU 다이렉트 스토리지(GDS)
읽기 처리량은 스레드 수에 따라 확장됩니다. 1M 블록 크기는 64개 스레드에서 2.89GiB/s로 최고에 달하는 반면, 16K 소형 블록 I/O는 오버헤드로 인해 동시성으로 인해 축소되기 전 단일 스레드에서 단 0.82GiB/s로 제한됩니다. 스레드가 많아지면 지연 시간이 급격히 증가합니다(128개 스레드에서 1M 블록의 경우 최대 44.7ms). 쓰기의 경우 대규모 1M 블록은 8개 스레드에서 최대 3.89GiB/s에 달하는 반면, 128K 및 16K 쓰기 처리량은 원시 대역폭이 아닌 컨트롤러 오버헤드에 의해 제한되어 동시성에 관계없이 일정하게 유지됩니다. 모든 블록 크기에 걸쳐 쓰기 대기 시간은 읽기 대기 시간보다 더 급격하게 증가합니다.
결론
Samsung 990은 벤치마크를 선도하는 성능을 위해 제작되지 않았으며 종합 테스트에서 990 PRO를 지속적으로 뒤쫓고 LLM 로드 순위에서 최하위에 올랐습니다. 과도한 작업 부하에 대해 최대 처리량이 필요한 사람은 대신 Samsung의 Gen5 9100 PRO를 선택해야 합니다.
그럼에도 불구하고 드라이브는 전력 효율성과 가치에 중점을 둔 실행 가능한 주류 틈새 시장을 채웁니다. 이전 990 EVO보다 50% 이상 빠른 순차 쓰기를 제공하며 EVO Plus의 읽기 속도와 에너지 효율성이 크게 향상되었습니다. 삼성의 모호한 NAND 공개에도 불구하고 내구성 수치는 신뢰할 수 있는 TLC 플래시를 나타냅니다.
Gen5 속도나 PRO의 높은 랜덤 IO가 필요하지 않고 구형 EVO 모델의 업그레이드로 안정적인 저전력 PCIe 4.0 스토리지를 찾는 사용자에게 적합합니다. PRO는 의미 있는 AI 추론 로딩 이점을 제공하지 않으므로 구매자는 무작위 및 지속적인 쓰기 요구에 따라 두 가지 중 하나만 선택하면 됩니다. 현재 MSRP는 제한된 메모리 시장 가격을 반영하므로 전반적인 가치 제안은 향후 소매 시중 가격에 따라 달라집니다. 성능 우선 빌드에는 적합하지 않지만 990은 의도된 주류 효율성 중심 역할을 유능하게 수행합니다.
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